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磷化铟是磷和铟的化合物,磷化铟作为半导体材料具有优良特性。使用磷化铟衬底制造的半导体器件,具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤低损通信、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性,因此磷化铟衬底可被广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等。

介质工况特性的基本信息

材料类型及介质工况特点

名称

密度

温度/℃

密封件

半导体材料

高 

高温

耐高温金属密封圈

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