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磷化铟是磷和铟的化合物，磷化铟作为半导体材料具有优良特性。使用磷化铟衬底制造的半导体器件，具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤低损通信、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，因此磷化铟衬底可被广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等。
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介质工况特性的基本信息 |
材料类型及介质工况特点 |
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名称 |
密度 |
温度/℃ |
密封件 |
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半导体材料 |
高 |
高温 |
耐高温金属密封圈 |
